深圳技術(shù)大學(xué)新材料與新能源學(xué)院導(dǎo)師：張旺 正文

張旺 副教授


個(gè)人介紹：
張旺，理學(xué)博士，校企合作專員，副教授。2007年中科院物理所獲得博士學(xué)位，同年加入比亞迪股份有限公司先后擔(dān)任研發(fā)經(jīng)理和廠長(zhǎng)職務(wù)，在發(fā)光二極管（LED）氮化鎵外延生長(zhǎng)、芯片制成、LED封裝新產(chǎn)品研發(fā)及生產(chǎn)管理方面有豐富的經(jīng)驗(yàn)，開發(fā)多款應(yīng)用于室內(nèi)外照明、汽車燈具等領(lǐng)域的LED；2016年在惠州市華瑞光源科技有限公司擔(dān)任研發(fā)部長(zhǎng)職務(wù)，負(fù)責(zé)TV背光模組研發(fā)工作，開發(fā)多款高效light bar燈條、量子點(diǎn)電視背光源；2017年加入深圳技術(shù)大學(xué)?，F(xiàn)已發(fā)表論文十余篇，國(guó)內(nèi)外發(fā)明專利20余項(xiàng)，主持及參與省市區(qū)級(jí)產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目十余項(xiàng)。


教育背景：
2003.09-2007.06     中科院物理所，博士研究生
2000.09-2003.06     遼寧大學(xué)，物理系，碩士
1995.09-1999.06     沈陽(yáng)大學(xué)師范學(xué)院，物理系，本科


工作經(jīng)歷：
2017.11-至今       深圳技術(shù)大學(xué)，新材料與新能源學(xué)院，副教授
2016.04-2017.10     惠州市華瑞光源科技有限公司，研發(fā)部，部長(zhǎng)
2007.07-2016.03     比亞迪股份有限公司，光源工廠，廠長(zhǎng)


主要榮譽(yù)：
• 2016年仲愷（國(guó)家級(jí)）高新區(qū)“愷旋人才計(jì)劃”第五屆創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)新銳團(tuán)隊(duì)
• 2014年大亞灣科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)LED關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化


研究方向：
1.LED及應(yīng)用，UVLED封裝及在殺菌領(lǐng)域應(yīng)用
2.鈣鈦礦發(fā)光器件


科研項(xiàng)目：
1.汽車前照燈低熱阻LED光源開發(fā) 校企合作項(xiàng)目 深圳比亞迪微電子有限公司


代表論文：
1.Charge ordering in PrCuMn₆O₁₂ and its behavior under pressure, W. Zhang, L. D. Yao, L. X. Yang, Z. X. Liu, C. Q. Jin, and R. C. Yu, Journal of Applied Physics 2010. 107. 023914
2.Phase separation in Eu_0.58Sr_0.42MnO₃ under pressure, W. Zhang, G. J. Liu, J. R. Sun, L. X. Yang, L. D. Yao, F. Y. Li, Z. X. Liu, C. Q. Jin,and R. C. Yu, Journal of Applied Physics 2007. 102. 093909
3.Pressure-induced electrical and magnetic property changes in CaCuMn₆O₁₂, W. Zhang, L.D. Yao, L.X. Yang, F.Y. Li, Z.X. Liu, C.Q. Jin, R.C. Yu, Journal of Alloys and Compounds 2006. 425. 10-13
4.Structural stability of CaCuMn₆O₁₂ under high pressure and low temperature, W. Zhang, et al, Chin.Phys.Lett. 2007. 24. 536


代表專利：
1.EPITAXIAY WAFER,METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING LED CHIP. US8,932,892B2
2.SUBSTRATE STRUCTURE, METHOD OF FORMING THE SUBSTRATE STRUCTURE AND CHIP COMPRISING THE SUBSTRATE STRUCTURE. US 8,928,006B2
3.發(fā)光二極管外延片、其制作方法及芯片的制作方法. CN102034912B
4.LED結(jié)構(gòu)及其形成方法. CN104716239
5.量子點(diǎn)LED封裝結(jié)構(gòu).CN106960900A


聯(lián)系方式：
電子郵箱：zhangwang@sztu.edu.cn

深圳技術(shù)大學(xué)

本文來源：http://www.zhongzhouzhikong.com/scjsdx/yjsds_566716.html