浙江大學(xué)理學(xué)部導(dǎo)師：劉潤(rùn) 正文

　　姓名：劉潤(rùn)
　　性別：男
　　所在學(xué)院：理學(xué)部
　　單位：化學(xué)系
　　職稱：副教授

　　個(gè)人簡(jiǎn)介
　　教育背景：
　　華東理工大學(xué)化學(xué)系獲學(xué)士學(xué)位(1988-1992),
　　華東理工大學(xué)物理化學(xué)專業(yè)獲碩士學(xué)位(1992-1995),
　　密蘇里-羅拉大學(xué)(University of Missouri-Rolla)化學(xué)系獲博士學(xué)位并作博士后研究工作（1998-2004）

　　工作經(jīng)歷：
　　華東理工大學(xué)助教，講師（1995-1998）
　　2004．11-現(xiàn)在 浙江大學(xué)化學(xué)系物理化學(xué)研究所, 副教授，碩導(dǎo)。

　　研究簡(jiǎn)介：
　　目前主要從事材料電化學(xué)，半導(dǎo)體光電化學(xué)和功能材料薄膜與器件的研究。
　　已在J． Phys．Chem．B，Chem． Mater．, Appl． Phys． Lett．, Crystal Growth & Design 等期刊上 發(fā)表論文30余篇,論文他引達(dá)550余次，最高單篇引用次數(shù)達(dá)167次。
　　研究工作得到國(guó)家973重大科學(xué)研究計(jì)劃，國(guó)家自然科學(xué)基金，浙江省自然科學(xué)基金，教育部博士點(diǎn)新教師基金及留學(xué)回國(guó)人員基金等資助，在此深表感謝。
　
　　Selected Papers (* Corresponding Author):
　　1． K． L Chen, R． Liu*, H． Wang, Y． F． Zheng, Z． D． Xu, “Room Temperature Electrodeposition of Oriented AgI Crystals”, J． Electrochem． Soc．, 2011,158 (4), D200-D204．
　　2． H． L． Kang, R． Liu*, K． L． Chen, Y． F． Zheng, Z． D． Xu, " Electrodeposition and Optical Properties of Highly Oriented CuI Thin Films",Electrochim．Acta, 2010, 55(27), 8121-8125．
　　3． H． Li, R． Liu*, Honglang, Kang, Y． F． Zheng and Z． D． Xu “Growth and characterization of Highly Oriented Cubr thin Films Through Room Temperature electrochemical route”, Electrochim． Acta, 2008, 54: 242-246
　　4． H． Li, R．Liu*, Y． F． Zheng, W．X． Chen and Z． D． Xu “Morphology Control of Electrodeposited Cu2O Crystals in Aqueous Solution using Room Temperature　Hydrophilic Ionic Liquids” Crystal Growth &Design, 2006, 6(12): 2795-2798． (Cited 49 times)
　　5． X． F． Han, R． Liu*, Z． D． Xu, W． X． Chen and Y． F． Zheng, “Room Temperature Deposition of Nanocrystalline Cadmium Peroxide Thin Films by Electrochemical Route”, Electrochem． Commun． 2005, 7 (12), 1195-1198． (Cited 12 times)
　　6． R．Liu, E．A．Bulp, F．Oba, E．W．Bohannan, F．Ernst, J． A． Switzer,“Epitaxial Electrodeposition of High-Aspect-Ratio Cu2O　(110) Nanostructures on InP(111)” Chem．Mater． 2005, 17: 725-729 ． (Cited 41 times)
　　7． R．Liu,F．Oba, E．W．Bohannan, F．Ernst, J．A．Switzer “Shape Control in Epitaxial Electrodeposition: Cu2O Nanocubes on InP(001)”, Chem． Mater． 2003, 15: 4882-4885 (Cited 76 times)
　　8． R．Liu,F．Oba, E．W．Bohannan, F．Ernst, J．A．Switzer “Epitaxial Electrodeposition of Cu2O Films onto InP(100)”, Appl． Phys． Lett．, 2003, 83: 1944-1946． (Cited 31 times)
　　9． J．A．Switzer, R．Liu, E． W． Bohannan, and F． Ernst “Epitaxial Electrodeposition a Crystalline Metal Oxide onto Single-Crystal Silicon”, J． Phys． Chem． B, 2002, 106: 12369-12372． (Cited 26 times)
　　10． R． Liu, A． A． Vertegel, E． W． Bohannan, T． A． Sorenson, and J． A． Switzer, “Epitaxial Electrodeposition of Zinc Oxide Nanopillars onSingle-Crystal Gold”, Chem Mater． 2001, 13: 508-512． （Cited 167 times)

　　工作研究領(lǐng)域：
　　目前主要從事材料電化學(xué)，光電化學(xué)和功能薄膜與器件的研究。 電沉積，外延生長(zhǎng)，界面和表面光電化學(xué)，電化學(xué)法制備結(jié)構(gòu)可控的半導(dǎo)體薄膜,組裝有序納米結(jié)構(gòu)并將其應(yīng)用于光電器件,太陽(yáng)能電池及光電催化等方面。

　　授權(quán)專利：
　　1． 劉潤(rùn), 徐鑄德, 王輝, 陳科立，采用電沉積制備氟化鈣或稀土摻雜氟化鈣薄膜的方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 201010188743．8
　　2． 劉潤(rùn), 王輝, 陳科立, 徐鑄德，采用電沉積制備氟化鍶或稀土摻雜氟化鍶薄膜的方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 201010220120．4
　　3． 劉潤(rùn), 徐鑄德, 陳科立,王輝，一種均勻致密碘化亞銅半導(dǎo)體薄膜的電化學(xué)制備方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 201010188752．7
　　4． 劉潤(rùn), 徐鑄德, 陳科立,康紅藍(lán)，一種室溫下合成高溫相碘化亞銅的電化學(xué)制備方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 201010188755．0
　　5． 劉潤(rùn), 徐鑄德, 陳科立,王輝，一種電沉積碘化銀半導(dǎo)體薄膜的電化學(xué)制備方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 201010188759．9
　　6． 薛斌, 徐鑄德, 劉潤(rùn)，一種中空二氧化鈦納米球的制備方法，授權(quán)專利號(hào)：ZL 200910098714．X7． 薛斌, 徐鑄德

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