湘潭大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師：唐明華 正文

[導(dǎo)師姓名]
唐明華

[所屬院校]
湘潭大學(xué)

[基本信息]
導(dǎo)師姓名：唐明華
性別：男
人氣指數(shù)：2538
所屬院校：湘潭大學(xué)
所屬院系：材料科學(xué)與工程學(xué)院
職稱：教授
導(dǎo)師類型：博導(dǎo)
招生專業(yè)：
研究領(lǐng)域：鐵電薄膜存儲器(FeRAM/FeFET)、阻變存儲器(RRAM)、多鐵隧道結(jié)及器件磁電超晶...

[通訊方式]
辦公電話：0731-58292200(O
電子郵件：tangminghua@xtu.edu.cn

[個(gè)人簡述]
唐明華，男，黨員，工學(xué)博士/教授，博士生導(dǎo)師，湖南省普通高校學(xué)科帶頭人(微電子學(xué)與固體電子學(xué))，韶峰學(xué)者。1988年7月畢業(yè)于湘潭大學(xué)物理系無線電物理專業(yè)。2003年9月至2004年9月在清華大學(xué)微電子研究所學(xué)習(xí)微電子專業(yè)課程，熟悉集成電路設(shè)計(jì)、制造和測試的基本原理及工藝方法。2007年獲湘潭大學(xué)材料物理與化學(xué)專業(yè)微電子材料與器件方向博士學(xué)位。2008年8月至2009年8月日本東京工業(yè)大學(xué)(Research Lab. of Advanced Integrated Electronics of the Department of Electronics and Applied Physics, TIT)高級訪問學(xué)者，參與由TIT、Fujitsu公司和Toshima公司聯(lián)合資助的鐵電存儲器(65nm半導(dǎo)體技術(shù)工藝)的研發(fā)工作。2011年6月至2011年9月受國家留學(xué)基金資助到新加坡南洋理工大學(xué)(Nanyang Technology University & A*STAR)做高級訪問學(xué)者。IEEE會員，中國材料學(xué)會高級會員，湖南省核學(xué)會副理事長。Nano Letters、Applied Physics Letters、IEEE Electron Devices Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、The IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems、RSC Advances、Materials Research Bulletin、Microelectronics Reliability等19余種國際期刊審稿人。湘潭大學(xué)“材料與器件”首批國家級教學(xué)團(tuán)隊(duì)(教高函[2007]23號)、“低維材料與器件力學(xué)”湖南省首批自然科學(xué)創(chuàng)新研究群體(2009年)和“薄膜材料及其器件力學(xué)”教育部創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)(2011年)核心成員，湘潭市專業(yè)技術(shù)骨干人才(第五批) (潭市發(fā)[2012] 24號)。? 主持國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、湖南省自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、留學(xué)回國人員科研啟動基金項(xiàng)目、高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(博導(dǎo)類)項(xiàng)目、湖南省教育廳重點(diǎn)項(xiàng)目等17項(xiàng)；作為主要成員或?qū)嶋H完成人，參與高等學(xué)?？萍紕?chuàng)新工程重大項(xiàng)目培育資金項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目重點(diǎn)項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、973預(yù)研項(xiàng)目、國防科工局XXX項(xiàng)目、總裝備部XXX探索項(xiàng)目等15項(xiàng)。
近年來，在Advanced Materilas、Applied Physics Letters、Nanotechnology、IEEE Journal of Solid-State Circuits、The IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems、IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Transactions on Nuclear Science、Microelectronics Reliability、Microelectronic Engineering等國內(nèi)外著名刊物上發(fā)表??SCI收錄學(xué)術(shù)論文141余篇，研究成果得到國內(nèi)外同行的高度關(guān)注，分別被Science、Nature Materials等國際著名期刊引用[如：Science, 327 (2010), 1106-1110)；Nature Materials, 7 (2008), 425-426；Nature Communictions, 5 (2014), 4693等]，至2015年12月，論文被引用1075次 (其中他引1021次，單篇論文他引最高為98次)。多次參加在美國、英國、法國、澳大利亞、日本、韓國、香港、北京等地舉行的國際學(xué)術(shù)交流活動，并做學(xué)術(shù)報(bào)告30余次。

[科研工作]
主持的科研項(xiàng)目：
1. 2015.01-2018.12，基于自旋極化多鐵隧道結(jié)的多值存儲研究，國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(51472210)。2. 2013.01-2016.12，鐵電柵場效應(yīng)晶體管存儲器的單粒子效應(yīng)研究，國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(61274107)。3. 2011.01-2013.12，LCMO/BNT磁電超晶格復(fù)合薄膜與磁電耦合效應(yīng)調(diào)制，國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(51072171)。4. 2009.01-2011.12，無鉛鐵電薄膜場效應(yīng)晶體管的保持性能，國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(60876054)。5. 2011.01-2011.12，2011年中日鐵電材料及其應(yīng)用會議，國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(5111030506)。6. 2013.01-2015.12，八邏輯態(tài)高密度鐵電存儲器的機(jī)理及實(shí)驗(yàn)研究，湖南省自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(13JJ2023)。7. 2012.09-2015.12，鐵電柵場效應(yīng)晶體管存儲器的單粒子效應(yīng)研究，湖南省教育廳重點(diǎn)項(xiàng)目(12A129)。8. 2011.01-2013.12，“湖南省普通高校學(xué)科帶頭人培養(yǎng)對象”專項(xiàng)，湖南省教育廳(湘教通[2011]388號)。9. 2011.01-2013.12，鐵電場效應(yīng)晶體管的保持性能與界面調(diào)控的關(guān)聯(lián)性研究，高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(博導(dǎo)類) (20104301110001)。10. 2010.01-2012.12，大面積高品質(zhì)磁電超晶格復(fù)合薄膜的PLD法制備及磁電效應(yīng)研究，第38批“留學(xué)回國人員科研啟動基金”項(xiàng)目(教外司留[2010]609號)。11. 2011.01-2013.12，鐵電薄膜場效應(yīng)晶體管的保持性能與界面調(diào)控，湖南省科技廳科研項(xiàng)目(2010FJ3029)。12. 2008.01-2010.12，非破壞性讀出無鉛鐵電薄膜場效應(yīng)晶體管的制備及電學(xué)性能，湖南省自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(08JJ3122)。13. 2012.10-2014.10，基于鐵電柵場效應(yīng)晶體管的FeCMOS邏輯電路的SET效應(yīng)研究，強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放課題。14. 2013.09-2015.09，鐵電柵場效應(yīng)晶體管存儲器的單粒子效應(yīng)研究，電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放課題(ZHD201304)。15. 2016.06-2018.06，鐵電柵石墨烯場效應(yīng)晶體管的制備及總劑量輻射效應(yīng)研究，強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放課題。

[教育背景]
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