湘潭大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師:李正

發(fā)布時(shí)間:2021-11-20 編輯:考研派小莉 推薦訪問:
湘潭大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師:李正

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湘潭大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師:李正 正文

[導(dǎo)師姓名]
李正

[所屬院校]
湘潭大學(xué)

[基本信息]
導(dǎo)師姓名:李正
性別:男
人氣指數(shù):2442
所屬院校:湘潭大學(xué)
所屬院系:材料科學(xué)與工程學(xué)院
職稱:教授
導(dǎo)師類型:博導(dǎo)
招生專業(yè):
研究領(lǐng)域:1.大面積、低漏電流硅探測(cè)器。開發(fā)了制作大面積、低漏電流硅探測(cè)器的先進(jìn)工藝技術(shù);2.成功地...

[通訊方式]
辦公電話:073158298611
電子郵件:lizheng@xtu.edu.cn

[個(gè)人簡(jiǎn)述]
李正:男,1958年11月出生于湖南省湘潭市。1977年以湖南省湘潭市全市第一名的成績(jī)考入北京大學(xué),1981年畢業(yè)于北京大學(xué)物理系,并以當(dāng)年CUSPEA?(China-U.S.?Physics?Examination?and?Application,李政道教授倡辦的中美聯(lián)合培養(yǎng)物理類研究生計(jì)劃)到美國(guó)賓州大學(xué)(Penn.?State?Univ.)攻讀博士學(xué)位,于1986年10月獲得博士學(xué)位。1986年11月到美國(guó)Brookhaven國(guó)家實(shí)驗(yàn)室工作,任Physicist(相當(dāng)于教授),領(lǐng)導(dǎo)世界上水平最高的硅高能粒子探測(cè)器模擬、設(shè)計(jì)、開發(fā)及制作和檢測(cè)中心,主要從事于硅高能粒子探測(cè)器的研制和輻照缺陷的材料與器件物理的工作。在高級(jí)別學(xué)術(shù)刊物發(fā)表SCI收錄論文300余篇,論文被引用6787次,其中他人正面引用5867次(截止日期2015年12月)。2005年獲BNL?Science?and?Technology獎(jiǎng),是CERN?RD39?Collaboration發(fā)言人,2012年獲美國(guó)電氣與電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)頒發(fā)的2012年技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)。分別被中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所材料科學(xué)開放實(shí)驗(yàn)室和湘潭大學(xué)聘請(qǐng)為客座教授和兼職教授。2014年2月12日正式受聘為湘潭大學(xué)特聘教授在湘潭大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院全職工作。

[科研工作]
獲獎(jiǎng)情況
李正,美國(guó)布洛克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室科學(xué)和技術(shù)獎(jiǎng),2005年;李正,美國(guó)電氣與電子工程師協(xié)會(huì)2012年技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng),2012年
科研項(xiàng)目
1、973計(jì)劃前期研究專項(xiàng), 2012CB326404、 FeCMOS基本門電路的輻照效應(yīng)及機(jī)理研究, 2012.08-2014.08,60萬元、已結(jié)題、主持。2、湖南省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃(2015GK2003),高性能壓力傳感器的研制及產(chǎn)業(yè)化,2015.01-2017.12,200萬元,主持,在研。
主要代表性論文
[1]3D design and electric simulation of a silicon drift detector using a spiral biasing adapter, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2016, In Press[2]3D simulations and modeling of new low capacitance silicon pixel detectors,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2016, In Press[3]Processing of n+/p- /p+ strip detectors with atomic layer deposition(ALD) grown Al2O3 field insulator on magnetic Czochralski silicon(MCz-si) substrates,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 828 (2016) 46–51

[教育背景]
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