姓名：張進成　性別：男
職稱：教授 學(xué)院：微電子學(xué)院
研究方向：寬禁帶半導(dǎo)體功率器件與電路設(shè)計

西電寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國家重點學(xué)科實驗室副主任，2007年入選教育部新世紀優(yōu)秀人才計劃。1976年7月出生，陜西省富平人，分別于2001年、2004年在西安電子科技大學(xué)獲得微電子學(xué)與固體電子學(xué)碩士和博士學(xué)位，2009年6月破格晉升為教授。2005年獲陜西省高等學(xué)校優(yōu)秀青年教師和校十佳青年教師稱號。 先后承擔(dān)和參與了省部級以上科研項目20余項，其中，作為負責(zé)人主持國家級項目2項、省部級項目4項。作為主要負責(zé)人之一，成功研制出我國具有自主產(chǎn)權(quán)的低缺陷氮化物材料生長的表面反應(yīng)增強MOCVD設(shè)備和高鋁組份GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)微波材料，性能指標達到了國際先進水平。獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎1項、省部級科技獎4項；獲授權(quán)國家發(fā)明專利7項，受理國家發(fā)明專利7項；發(fā)表論文50余篇，其中SCI收錄30余篇。

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