武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師：郭冬云 正文

　　郭冬云
　　男，博士，副教授
　　出生年月：1976.9
　　E-mail：guody@whut.edu.cn
　　通訊地址：湖北省武漢市武漢理工大學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室FGM組（430070）

　　教育背景
　　1995年9月-1999年6月 武漢工業(yè)大學(xué)材料學(xué)院硅酸鹽工程專(zhuān)業(yè)，獲得學(xué)士學(xué)位
　　1999年9月-2002年6月 武漢理工大學(xué)材料學(xué)院材料學(xué)專(zhuān)業(yè)，獲得碩士學(xué)位
　　2002年9月-2006年1月 華中科技大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)，獲得工學(xué)博士學(xué)位

　　工作經(jīng)歷
　　2006年2月-2008年3月 武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，博士后
　　2008年4月- 武漢理工大學(xué)材料學(xué)院

　　研究方向
　　1．新型鐵電、多鐵性薄膜材料及其在鐵電存儲(chǔ)器方面的應(yīng)用研究
　　2．鐵電、多鐵納米管陣列
　　3．阻尼材料

　　部分發(fā)表論文
　　1．Dongyun Guo, Chuanbin Wang, Qiang Shen, Lianmeng Zhang, et al. Effect of Mo substitution on ferroelectric properties of Bi3.6Ho0.4Ti3O12 thin films prepared by sol-gel method. Applied Physics Letters, 2008, 93: 262907
　　2．Dongyun Guo, Lianmeng Zhang, Meiya Li, et al. Effect of Ho Content on Microstructure and Ferroelectric Properties of Bi4-xHoxTi3O12 Thin Films Prepared by Sol-gel Method. Journal of American Ceramic Society, 2008, 91: 3280-3284
　　3．Guo Dongyun, Li Meiya, Liu Jun, et al. Preparation and ferroelectric properties of Bi3.4Ce0.6Ti3O12 thin films grown by sol-gel mechod. Sci China Ser E – Tech Sci, 2008, 51: 10-15
　　4．Guo Dongyun, Li Meiya, Wang Jing, et al. Ferroelectric Properties of Bi3.6Ho0.4Ti3O12 Thin Films Prepared by Sol-gel Method. Applied Physics Letters, 2007, 91: 232905
　　5．Guo Dong-yun, Li Mei-ya, Liu Jun, et al. Ferroelectric properties of Bi4-xLaxTi3O12 (x=0, 0.75) thin films prepared by sol-gel method. Materials Science and Engineering B, 2007, 142: 135-138
　　6．Guo Dong-yun, Li Mei-ya, Liu Jun, et al. Ferroelectric properties of Bi4Zr0.5Ti2.5O12 thin films on LaNiO3 bottom electrode by sol-gel method. Sci China Ser E – Tech Sci, 2007, 50: 472-477
　　7．Guo Dong-yun, Li Mei-ya, Pei Ling, et al. Ferroelectric properties of Bi3.25La0.75Ti3O12 thin Films prepared by sol-gel method. Sci China Ser E – Tech Sci, 2007, 50: 1-6
　　8．Guo Dong-yun, Li Mei-ya, Pei Ling, et al. Preparation and ferroelectric properties of Bi4 Zr0.5Ti2.5O12 thin films on LaNiO3 bottom electrode by the sol-gel method. J. Phys. D: Appl. Phys, 2006, 39: 5033-5036
　　9．GUO Dongyun, WANG Yunbo, Yu Jun, et al. Effect of Annealing on Ferroelectric Properties of Bi3.25La0.75Ti3O12 Thin Films Prepared by Sol-Gel Method. Journal of Wuhan University of Technology-Materials Science Edition, 2005, 20(4): 20-21
　　10．郭冬云，李美亞，劉軍 等．Sol-gel法制備Bi3．4Ce0．6Ti3O12鐵電薄膜及其性能．中國(guó)科學(xué) E輯：技術(shù)科學(xué)，2008，37：442-447
　　11．郭冬云，李美亞，裴玲 等．Sol-gel法制備Bi4Ti3O12薄膜及其性能研究．壓電與聲光，2007，29：683-685
　　12．郭冬云，李美亞，劉軍 等．LaNiO3底電極上Bi4Zr0．5Ti2．5O12薄膜的制備及性能．中國(guó)科學(xué) E輯：技術(shù)科學(xué)，2007，37：667-673
　　13．郭冬云，李美亞，裴玲 等．Sol-Gel法制備Bi3．25La0．75Ti3O12鐵電薄膜及其性能．中國(guó)科學(xué) E輯：技術(shù)科學(xué)，2007，37：7-11
　　14．郭冬云，王耘波，于軍，高俊雄，李美亞．La摻雜對(duì)Bi4Ti3O12薄膜鐵電性能的影響．物理學(xué)報(bào)，2006，55：548-581
　　15．郭冬云，王耘波，于軍，王雨田，王寶義，魏龍．MFS結(jié)構(gòu)鈦酸鉍薄膜的C-V特性研究．功能材料，2004，35（2）：180-182
　　16．郭冬云，王耘波，付承菊，于軍．MEMS器件中的鐵電材料．微納電子技術(shù)，2004，41（3）：25-28
　　17．郭冬云，王耘波，于軍 等．Sol-Gel法制備硅基鈦酸鉍鐵電薄膜，壓電與聲光，2004，26（3）：228-230
　　18．郭冬云，王耘波，于軍 等．Ag/BLT/Bi4Ti3O12/Si結(jié)構(gòu)鐵電薄膜制備及其鐵電性能的研究．功能材料，2004（增刊），35：1442-1444

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