2021沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)晶體管原理研究生考試大綱

發(fā)布時(shí)間：2020-11-27 編輯：考研派小莉推薦訪問(wèn)：

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2021沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)晶體管原理研究生考試大綱正文

碩士研究生入學(xué)考試大綱

加試科目名稱(chēng)：晶體管原理
一、援引教材
《晶體管原理》國(guó)防工業(yè)出版社劉永張福海
二、考試要求：
系統(tǒng)地掌握pn結(jié)、雙極型和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本工作原理、直流特性、頻率特性、開(kāi)關(guān)特性和功率特性的物理基礎(chǔ)。
三、考試內(nèi)容：
1）PN結(jié)
a: PN結(jié)的形成和雜質(zhì)分布、平衡PN結(jié)的空間電荷區(qū)和能帶圖
b: 非平衡PN結(jié)、PN結(jié)的直流特性、 PN結(jié)空間電荷區(qū)的電場(chǎng)和電位分布
c: PN結(jié)的勢(shì)壘電容、PN結(jié)小信號(hào)交流特性
d: PN結(jié)的擊穿特性
2）晶體管直流特性
a: 晶體管放大原理、晶體管電流放大系數(shù)
b: 晶體管反向電流和擊穿電壓
c: 晶體管頻率特性（1）晶體管交流特性理論分析（2）共發(fā)射極短路電流放大系數(shù)及其截止頻率
d:晶體管功率特性（1）大注入效應(yīng)（2）基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)
3）晶體管開(kāi)關(guān)時(shí)間
4) MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（1）MOSFET的閾值電壓（2）MOSFET的伏安特性（3）短溝道效應(yīng)

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