山東大學(xué)物理學(xué)院導(dǎo)師：林兆軍 正文

　　姓名: 林兆軍
　　職稱: 教授
　　Email: linzj@sdu.edu.cn
　　電話: 0531-88363700
　　地址: 濟南山東大學(xué)物理學(xué)院

　　學(xué)歷
　　1980.9~1984.7: 河北大學(xué)電子系學(xué)習獲學(xué)士學(xué)位.
　　1985.9~1988.7: 河北大學(xué)電子系學(xué)習獲碩士學(xué)位. 碩士論文內(nèi)容是有關(guān)激光輔助擴散制備淺結(jié)二極管和三極管研究.
　　1994.9~1997.7: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體所學(xué)習獲博士學(xué)位. 博士論文內(nèi)容是半導(dǎo)體量子點制備和性質(zhì)研究.
　　
　　科研工作經(jīng)歷
　　1988.9~1994.7: 河北大學(xué)電子系從事教學(xué)和科研工作.
　　1997.9~1999.9: 北京大學(xué)微電子所做博士后研究, 研究GaN電子器件的制備工藝和器件特性.
　　1999.10~2000.9: 在加拿大的McMaster University做研究，開展了InGaAsP-InP多量子阱激光器的研究工作。
　　2000.9月~2002.3: 在美國Northwestern University繼續(xù)研究工作，研究工作包括：GaInAs/AlInAs量子級聯(lián)激光、GaN基蘭激光和發(fā)光管。
　　2002.3~2003.9: 在美國Ohio State University，從事了AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)肖特基接觸及場效應(yīng)晶體管的研制工作。
　　2003.12~現(xiàn)在: 山東大學(xué)物理學(xué)院工作.
　　
　　研究領(lǐng)域
　　AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管研究
　　近些年來，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（AlGaN/GaN HFET）一直作為半導(dǎo)體電子器件研究領(lǐng)域的熱點而引起人們的廣泛關(guān)注和極大興趣。AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的肖特基接觸是AlGaN/GaN HFET的重要組成部分，肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應(yīng)變影響的機理至今還不清楚，而肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應(yīng)變的影響將改變AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)二維電子氣密度等相關(guān)參數(shù)，由此對AlGaN/GaN HFET器件特性產(chǎn)生重要影響。我們的研究擬在通過AlGaN勢壘層面極化電荷密度的分析計算，獲取肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應(yīng)變影響的信息，研究肖特基金屬電子與AlGaN勢壘層界面相互作用的機制，建立肖特基金屬對AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)AlGaN勢壘層應(yīng)變影響的作用模型，以此推動GaN基電子器件研究的深入和發(fā)展。該研究包括器件制備、器件特性測試和器件特性分析.
　　低維半導(dǎo)體材料與器件研究
　　用物理或化學(xué)方法制備低維半導(dǎo)體材料, 通過微電子微細加工工藝將其制備成低維器件, 研究該材料體系的電子能態(tài)結(jié)構(gòu)、聲子能態(tài)結(jié)構(gòu)、載流子輸運及器特性.
　　SenTaurus-Device模擬分析半導(dǎo)體器件特性
　　利用SenTaurus-Device (業(yè)界標準器件的仿真)仿真工具，模擬分析新型半導(dǎo)體器件的器件特性，諸如電流-電壓（I-V）、電容-電壓（C-V）和頻率特性等.
　　
　　承擔科研項目
　　1. 國家自然科學(xué)基金項目：肖特基接觸金屬對AlGaN勢壘層應(yīng)變影響研究， 項目號：10774090, 金額：30.00萬元，研究期限：2008.01-2010.12. 項目負責人:林兆軍
　　2. 參與項目, 納米材料表面生化修飾與POPS的選擇性富 集；2007CB936602；973項目；2007年-2011年。參與者：林兆軍
　　
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