北方工業(yè)大學(xué)法學(xué)導(dǎo)師：閆江 正文

閆江 ?教授，博導(dǎo)，國家特聘專家。
? 現(xiàn)任北方工業(yè)大學(xué)高精尖創(chuàng)新研究院院長。
在微電子領(lǐng)域有超過30多年的工作經(jīng)歷。
先后任職于中科院微電子研究所，美國德克薩斯大學(xué)微電子中心和英飛凌（Infineon）公司美國研發(fā)部。
曾參與和負(fù)責(zé)了與IBM, 韓國三星, Globalfoundries, 日本東芝, STMicroelectronics和臺灣聯(lián)華電子（UMC）等公司的聯(lián)合研發(fā)項目。
2009年回國后任職于中國科學(xué)院微電子研究所，主持參與了多項重要科研及產(chǎn)業(yè)化項目，包括二項國家重大科技專項課題：“22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺建設(shè)”和“16/14nm基礎(chǔ)技術(shù)研究”。
? 曾獲得中國科學(xué)院2014年度杰出科技成就獎和北京市2016年度科學(xué)技術(shù)獎一等獎。
主持參與了多項國內(nèi)外重要科研項目，承擔(dān)了2項國家重大科技專項課題，獲得40余項美國授權(quán)發(fā)明專利，50余項中國授權(quán)發(fā)明專利，發(fā)表學(xué)術(shù)論文超過60篇。
主持若干項國家和北京市自然科學(xué)基金面上課題。
個人簡歷 1978.10 - 1983.7? 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)? 半導(dǎo)體 學(xué)士1983.9 - 1986.11? 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所? 電子工程 碩士1995.1 - 1999.4? 美國德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校 電子工程 博士 教授課程 人工智能技術(shù)導(dǎo)論? 學(xué)科前沿? 半導(dǎo)體工藝技術(shù) 主要研究領(lǐng)域和方向 ? ?人工智能芯片技術(shù)及其應(yīng)用 近五年的榮譽成果 1、 Nan Zhang , Jing Zhang，J. Yan et al.? O2 plasma treated biosensor for enhancing detection sensitivity of sulfadiazine in a high-к HfO2 coated silicon nanowire array. , Sensors & Actuators:B. Chemical 306(2020) 127464 SCI 一區(qū)2、 Zhiyuan Xu, Qingyi Meng, Qiang Cao, Yushi Xiao, Huan Liu, Gang Han, Shuhua Wei, Jiang Yan, and Lidong Wu*.Selective Sensing of Copper Ions by MesoporousPorphyrinic Metal-Organic Frameworks Nanoovals. Anal. Chem., Vol. 92, No. 2, 2201-2206, 2020.SCI 三區(qū)3、Qi Qi, Chunhui Liu, Lintao Liu, Qingyi Meng, Shuhua Wei*, Anjie Ming*, Jing Zhang, Yanrong Wang, Lidong Wu, Xiaoli Zhu, Feng Wei and Jiang Yan, Fabrication, Characterization, and Application of Large-Scale Uniformly Hybrid Nanoparticle-Enhanced Raman Spectroscopy Substrates, Micromachines 10, 282, 2019. (SCI 三區(qū)? IF:2.426)4、Q. Zhang, H. Tu*, H. Yin*, J. Yan et al. “Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays” [J]. Microelectronic Engineering, pp.48-54, 198 (8), 2018, doi: https://doi.org/10.1016/j.mee.2018.07.001. SCI 三區(qū)5、Q. Zhang, H. Tu*, Yin H*, J. Yan* et al. Si Nanowire Biosensors Using a FinFET Fabrication Process for Real Time Monitoring Cellular Ion Actitivies [C], 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, 2018: 29.6. 1-29.6. 4. 頂級會議論文6、Q. Zhang, H. Tu, S. Gu, J. Yan et al. Influence of Rapid ThermalAnnealing on Ge-Si Interdiffusion in Epitaxial Multilayer Ge0. 3Si0. 7/Si Superlattices with Various GeSi Thicknesses [J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 7(11): P671-P676. SCI 三區(qū)7、Yingjie Wang, Peng He, Jing Zhang , Jiang Yan, Dmitry V. Lopaev,Xin-Ping Qu, Mikhail R. Baklanov, A non-destructive, fast evaluation of PVD diffusion barriers deposited on porous low-k dielectrics, Microelectronic Engineering 198,22–28 (2018) SCI 四區(qū)?8、陳曦，張靜, 閆江等. Si離子輻照下Al2O3柵介質(zhì)的漏電機制，半導(dǎo)體技術(shù)，2019年07期?9、朱軒民，張靜，閆江等. NH3 等離子體鈍化對 Al2O3 /SiGe 界面的影響，半導(dǎo)體技術(shù)，第44卷，第6期 近年來主要科研項目 主持 國家自然科學(xué)基金面上項目 61874002 集成電路制造中關(guān)鍵圖形工藝的模型研究主持 北京市自然科學(xué)基金面上項目 4182021 圖形化工藝仿真模型的研究主持 北京市科委項目 高端芯片設(shè)計與制造關(guān)鍵光刻技術(shù)研究與應(yīng)用? 近年來出版的主要教材與專著 在研主要項目 國家自然科學(xué)基金面上項目：集成電路制造中關(guān)鍵圖形工藝的模型研究北京市自然科學(xué)基金面上項目：圖形化工藝仿真模型的研究北京市科委項目：高端芯片設(shè)計與制造關(guān)鍵光刻技術(shù)研究與應(yīng)用橫向項目：BD-C5薄膜的開發(fā)? 國內(nèi)外學(xué)術(shù)活動
信息來源：http://lwss.ncut.edu.cn/TutorServlet?action=queryDs&teacherid=bRK6aDZ8bTFRPFlWzwilmw== 以上老師的信息來源于學(xué)校網(wǎng)站，如有錯誤，可聯(lián)系我們進(jìn)行更新或刪除。建議導(dǎo)師將更新的簡歷尤其對研究生招生要求發(fā)送給我們，以便考研學(xué)子了解導(dǎo)師的情況。（導(dǎo)師建議加QQ-1933508706，以便后續(xù)隨時更新網(wǎng)頁或發(fā)布調(diào)劑信息。考研派網(wǎng)站和APP流量巨大）查看聯(lián)系方式>>。

北方工業(yè)大學(xué)

本文來源：http://www.zhongzhouzhikong.com/ncut/yanjiushengdaoshi_828634.html