華南理工大學(xué)大學(xué)電子與信息學(xué)院導(dǎo)師：姚若河 正文

　　姓名：姚若河　 性別：男　　職稱：教授　　
　　學(xué)院：電子與信息學(xué)院　 最后學(xué)歷：博士
　　主要研究方向：集成電路設(shè)計與系統(tǒng)集成；半導(dǎo)體材料及器件；微/納電子器件模型研究

　　姚若河，男，中共黨員，博士，教授，博士研究生導(dǎo)師。1982年1月畢業(yè)于中山大學(xué)無線電物理專業(yè)。曾先后在電子工業(yè)部桂林電子工業(yè)學(xué)院、清華大學(xué)、北方交通大學(xué)和汕頭大學(xué)工作和學(xué)習(xí)。多次應(yīng)邀到香港大學(xué)、香港理工大學(xué)進(jìn)行學(xué)術(shù)訪問研究?，F(xiàn)任全國信息與電子學(xué)科研究生教育委員會理事、廣東省物理學(xué)會常務(wù)理事、廣東省電子學(xué)會常務(wù)理事、廣東省半導(dǎo)體與集成技術(shù)專業(yè)學(xué)會副主任?，F(xiàn)任華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院副院長、微電子研究所副所長。先后主講模擬電子技術(shù)、高頻電子線路、電子線路的CAD、微機(jī)原理及應(yīng)用、數(shù)字信號處理、計算微電子學(xué)和集成電路設(shè)計方法學(xué)等本科和研究生課程。已招收培養(yǎng)博士研究生10多名,碩士研究生80多名,在所指導(dǎo)的研究生中，曾獲全國大學(xué)生“挑戰(zhàn)杯”特等獎，廣東省南粵優(yōu)秀研究生，廣東省優(yōu)秀博士學(xué)位論文，廣東省優(yōu)秀碩士學(xué)位論文等獎勵。先后主持國家自然科學(xué)基金、廣東省重大科技項目、廣東省自然科學(xué)基金等科研項目10多項，作為核心成員參加國家自然科學(xué)基金、國家“973” 項目等9項。獲省部級科研獎8項。2001年獲廣東省南粵優(yōu)秀教師獎。已發(fā)表論文100多篇，其中被SCI、EI、ISTP檢索60多次。申請專利8項（已授權(quán)5項）。目前的研究領(lǐng)域包括集成電路系統(tǒng)設(shè)計及制造、計算微電子學(xué)和新型光電器件及物理等。

　　近年來研究生發(fā)表的部分論文:
　　1、 Z.P. Bian, R.H. Yao, et.al. Low-Voltage Class-AB CMOS Output Stage with Tunable Quiescent Current. IEICE Trans. Electron. 2010,93(5):1375-1376
　　2、 J.W.Chen, R.H.Yao. Efficient Modulo 2n+1 Multipliers for Diminished-1 Representation. IET Circuits Devices Syst. 2010,4(4):291-300
　　3、 W.J. Wu, R.H. Yao, et.al. A new analytical threshold voltage model for the doped polysilicon thin-film transistors. Solid-State Electronics，2009，53（6）：607-612
　　4、 X. Yi, X. Chen, R. Yao， Frequency-adjustable clock oscillator based on frequency-to-voltage converter. Electronic Letters, 2009, 45(11):530-531
　　5、 W. J. Wu, R. H. Yao. A Simple Modeling of DIGBL Effect for Polysilicon Films and Polysilicon Thin-Film Transistors. IEEE. Electron Devices Letters，2008，29（10）：1128-1131
　　6、 Y. Liu，R. H. Yao，et.al. A physical model with the effects of self-heating and variable resistance in above-threshold region for hydrogenated amorphous silicon thin film transistor. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2008, 47( 6): 4436-4440
　　7、 X. Y. Duan，Y. J. Zhao ,R. H. Yao. Pushing p-type conductivity in ZnO by (Zr,N) codoping: A first-principles study. Solid State Communications, 2008，147（5-6）：194-197
　　8、 W.J. Wu, R.H. Yao, et.al.. A physical model of floating body effects in polysilicon thin film transistors. Solid-State Electronics，2008，52（6）：930-936
　　9、 Y. Lu，R. H. Yao. Low-voltage constant-gm rail-to-rail CMOS operational amplifier input stage. Solid-State Electronics，2008，52（6）：957-961
　　10、 X. Y. Duan，R. H. Yao, et.al. The mechanism of Li, N dual-acceptor co-doped p-type ZnO. Applied Physics A，2008，91（3）：467-472
　　11、 Y. Liu，R. H. Yao，et.al. An analytical model based on surface potential for a-Si:H thin film transistor. IEEE J. Display Technology，2008，4（2）：181-187
　　12、 W. J.Wu, R. H. Yao, et.al.. A Compact Model for Poly-silicon TFTs Leakage Current including Poole-Frenkel Effect. IEEE Trans. Electron Devices，2007，54（11）：2975-2983
　　13、 W.J. Wu, R.H. Yao, et.al. A new extraction method of poly-Si TFT model parameters in the leakage region. Solid-State Electronics，2007，51（5）：778-783
　　14、 何貴平，張弜，姚若河. Er3+和Ce3+/ Ce4+摻雜?- BaB2O4納米棒的制備、結(jié)構(gòu)與發(fā)光性質(zhì). 物理化學(xué)學(xué)報.2010，26（3）：685-690
　　15、 姚若河 陳中盟. 抗諧波鎖定的延時鎖相環(huán). 華南理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版),2010, 38( 9 ):1-6
　　16、 許佳雄，姚若河，耿魁偉. 用Lambert W函數(shù)求解太陽能電池的串聯(lián)電阻. 華南理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版),2010, 38( 6 ):42-45
　　17、 姚若河，歐秀平. 多晶硅薄膜晶體管的有效遷移率模型. 華南理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版),2010, 38( 5 ):61-64
　　18、 陳建文, 姚若河. 高效的五基數(shù)剩余數(shù)至二進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計. 華南理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版),2010, 38( 5 ):55-60
　　19、 姚若河，歐秀平. 低摻雜多晶硅薄膜晶體管閾值電壓的修正模型. 華南理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版),2010, 38( 1 ):14-17
　　20、 侯通賢，姚若河，林曉玲. 偽通孔對銅互連應(yīng)力誘生空洞的影響. 微電子學(xué)，2010，40（2）：295-299
　　21、 陳中盟，姚若河. 分段式電流舵D/ A轉(zhuǎn)換器抗dL/ dt噪聲設(shè)計. 微電子學(xué)，2010，40（1）：1-5
　　22、 侯通賢，林曉玲，姚若河. 互連寬度對銅互連應(yīng)力可靠性的影響. 微電子學(xué)，2010，40（1）：122-125
　　23、 易翔, 姚若河，一種基于頻率/電壓變換器的高精度時鐘振蕩器，微電子學(xué)，2009，39（3）：344-347
　　24、 鐘金廣，姚若河，侯識華，基于非均勻高斯函數(shù)的無刷直流電動機(jī)模糊控制，微特電機(jī)，2009，（7）：41-44
　　25、 林曉玲，姚若河，等. SiGe HBT的熱載流子效應(yīng)評價. 華南理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版),2009, 37( 5 ):23-26
　　26、 劉遠(yuǎn)，姚若河，李斌. 非晶硅薄膜晶體管中不飽和輸出電流的數(shù)值仿真. 華南理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版),2009, 37( 1):15-18
　　27、 鄒芯遙，姚若河. 支持向量機(jī)在小子樣IC可靠性評估中的應(yīng)用. 華南理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版),2009, 37( 1):23-26
　　28、 歐秀平，姚若河，吳為敬. 多晶硅薄膜晶體管中的晶粒間界電荷分享效應(yīng)，微電子學(xué)，2008，38（6）：796-799
　　29、 李文冠，姚若河，郭麗芳. 一種2V、9μA、15×10-6/oC高電源抑制CMOS帶隙電壓基準(zhǔn)源，電子器件，2008，31（5）：1490-1494
　　30、 路延，姚若河. 一種低電壓恒定跨導(dǎo)Rail-to-Rail的CMOS運(yùn)放輸入級，電子器件，2008，31（5）：1479-1482
　　31、 劉瑤，姚若河，等. ESD保護(hù)器件GGNMOS二次擊穿前的建模，微電子學(xué)，2008，38（5）：647-651
　　32、 路香香，羅宏偉，姚若河 等，Esn應(yīng)力下的擴(kuò)散電阻及模型擊穿特性，微電子學(xué)，2008，38（4）：469-472
　　33、 鄒芯遙，姚若河. 小子樣統(tǒng)計理論及IC可靠性評估. 控制與決策，2008,23(3):241-245
　　34、 路香香，姚若河，羅宏偉,ESD應(yīng)力下的NMOSFET模型. 微電子學(xué)，2007，37（6）：842-847
　　35、 林曉玲,孔學(xué)東,姚若河 等. SiGeHBT器件的可靠性技術(shù). 微電子學(xué)，2007，37（2）：210-213
 

　　如果發(fā)現(xiàn)導(dǎo)師信息存在錯誤或者偏差，歡迎隨時與我們聯(lián)系，以便進(jìn)行更新完善。

華南理工大學(xué)

本文來源：http://www.zhongzhouzhikong.com/huananligongdaxue/daoshi_504114.html