《固體物理》考試大綱

適用專(zhuān)業(yè)名稱(chēng)：物理學(xué)

科目代碼及名稱(chēng) 考試大綱 

4 固體物理

一、考試目的與要求

測(cè)試考生固體物理主要內(nèi)容：晶體結(jié)構(gòu)，包括空間點(diǎn)陣、布拉菲格子和倒格子的概念等；晶格振動(dòng)與晶體的熱學(xué)性質(zhì)，包括晶格振動(dòng)的量子化和聲子；晶體中的缺陷、雜質(zhì)、表面和界面對(duì)材料性質(zhì)的影響；固體電子論與能帶理論，包括布里淵區(qū)的概念、布洛赫定理、克龍尼克－潘納模型、簡(jiǎn)并微擾法；導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的能帶論解釋。了解固體物理領(lǐng)域的新進(jìn)展，掌握固體材料的常規(guī)性質(zhì)和實(shí)驗(yàn)研究方法。

試卷結(jié)構(gòu)（滿分100分）

內(nèi)容比例： 

(1)晶體結(jié)構(gòu)                               約10分

(2)晶格振動(dòng)和晶體的熱學(xué)性質(zhì)               約15分

(3)晶體中的缺陷與運(yùn)動(dòng)                     約15分

(4)固體電子論與能帶理論                  約30分

(5)半導(dǎo)體中的電子過(guò)程                     約10分

(6)介電固體的性質(zhì)                         約10分

(7)固體中的光吸收和發(fā)射                   約10分

                   

     題型比例：

客觀題   約40分                             

(1)填空題                                 約30分                        

(2)判斷題                                 約10分                         

主觀題   約60分  

(1)簡(jiǎn)答題                                 約20分

(2)繪圖題                                 約10分

(3)綜合題                                 約30分

三、考試內(nèi)容與要求

     （一）晶體結(jié)構(gòu)，晶格振動(dòng)與晶體的熱學(xué)性質(zhì)

考試內(nèi)容

晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)性質(zhì)。

考試要求

1. 了解空間點(diǎn)陣、布拉菲格子和倒格子的概念。

2. 熟悉晶體結(jié)構(gòu)的X射線測(cè)試方法及相關(guān)原理。

3. 了解晶體結(jié)合類(lèi)型及特點(diǎn)。

4. 深入理解原子鏈的振動(dòng)、晶格振動(dòng)的量子化和聲子。

   

（二）晶體中的缺陷與運(yùn)動(dòng)

考試內(nèi)容

缺陷的類(lèi)型，熱缺陷的性質(zhì)

考試要求

1. 熱缺陷數(shù)目統(tǒng)計(jì)。

2. 熱缺陷的運(yùn)動(dòng)、產(chǎn)生與復(fù)合。

3. 外來(lái)原子或雜質(zhì)在晶體中的擴(kuò)散。

 

（三）固體電子論與能帶理論

考試內(nèi)容

    導(dǎo)體、半導(dǎo)體的接觸性質(zhì)；克龍尼克－潘納模型、典型的能帶計(jì)算方法。

考試要求

1. 了解布里淵區(qū)的概念。

2. 理解克龍尼克－潘納模型、緊束縛法以及簡(jiǎn)并微擾法的相關(guān)推導(dǎo)過(guò)程，熟悉相關(guān)結(jié)論。

3. 從能帶論角度熟悉導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的差異與共同特征。

 

（四）擴(kuò)展部分 

考試內(nèi)容

綜合運(yùn)用固體物理的一般性理論分析材料性能。

考試要求

1. 掌握半導(dǎo)體的獨(dú)特性能及其中的電子過(guò)程。

2. 熟悉固體的光吸收與發(fā)射性質(zhì)。

 

參考書(shū)目：  

1.《固體物理基礎(chǔ)》，王矜奉主編，山東大學(xué)出版社，2013年

2.《固體物理學(xué)》，（上下冊(cè)），方俊鑫 陸棟主編，上?？茖W(xué)技術(shù)出版社，1981年

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