侯洵    1936年12月出生，陜西咸陽人，著名光電子學專家。一直從事光電陰極、光電子技術及快速光電器件的理論與技術研究，在瞬態(tài)光學和光電子學學科領域具有重要的影響。1985年做為"現(xiàn)代國防試驗中的動態(tài)光學觀測及測量技術"的主要貢獻者獲國家科技進步特等獎。侯洵院士是我國“八五”攀登計劃項目：“飛秒激光技術與超快過程研究”首席科學家，“九五”攀登計劃預選項目：“強場激光物理與飛秒超快過程研究”專家委員會召集人之一。自1986年以來，先后獲國家科技進步二等獎兩項、三等獎三項、國家發(fā)明三等獎一項；獲中科院科技進步一等獎三項，二等獎四項；獲陜西省科技進步二等獎、三等獎各一項等主要獎項。自1986年以來，先后在國內外重要期刊及學術會議上發(fā)表論文190多篇，在第18屆、第23屆國際高速攝影會議及日本第一屆國際高速攝影會議上做了特邀報告。侯洵院士倡議并組織建設了“瞬態(tài)光學技術國家重點實驗室”，為我國瞬態(tài)光學技術的研究趕超世界先進水平做出了重要貢獻。1984年獲國家有突出貢獻的中青年專家稱號，1989年獲全國先進工作者稱號，1991年當選中科院院士，1996年獲光華科技基金一等獎，1999年獲何梁何利科技進步獎。






王占國    1938年12月生，河南鎮(zhèn)平縣人，著名半導體材料物理學家。1962年畢業(yè)于南開大學物理系，同年到中科院半導體所工作。1980－1983年瑞典隆德大學訪問學者；1986年任半導體所研究員，材料室主任；1990年被批準為博士生導師；1990-1994任半導體所副所長；1991-2001年，先后曾任國家高技術新材料領域專家委員會委員、常委、功能材料專家組組長，國家S-863計劃綱要建議軟課題研究新材料技術領域專家組組長；從1990年起先后任國際半導體和半絕緣材料、第7屆國際化學束外延、國際缺陷識別與成象物理會議等6個顧問委員會委員，中科院半導體材料科學實驗室主任，北大、清華等多個國家、部門開放實驗室學術委員會委員。第八屆北京市人民政府專家顧問團顧問，中國材料學會常務理事，中國電子學會高級會員。半導體學報、人工晶體學報、材料導報等編委。1995年當選為中科院院士。“973”重大基礎研究計劃“信息功能材料相關基礎問題”項目首席科學家。曾獲中科院自然科學一等獎，中科院科技進步一、二和三等獎，國家科技進步三等獎和國家重點科技攻關獎多項,在國外重要學術刊物發(fā)表論文100多篇，被他人引用數百次。