2021杭州電子科技大學模擬電子技術專業(yè)研究生考研考試大綱 正文

一、晶體二極管
1、半導體器件物理基礎：本征半導體、雜質(zhì)半導體、PN結(jié)及其基本特性；
2、二極管伏安特性曲線，各類二極管建模模型及條件，含數(shù)學模型、理想二極管、恒壓降、折線、小信號、齊納二極管等；基于模型的二極管電路分析方法；
3、二極管應用電路分析：整流、限幅、邏輯、穩(wěn)壓。
二、場效應管
1、場效應管基本結(jié)構(gòu)與類型；
2、MOS器件工作原理、伏安特性曲線及相關建模，含伏安方程、小信號模型及參數(shù)等；
3、放大器的四個基本參數(shù)及四類放大器的等效模型；
4、以MOS為核心的三種基本組態(tài)放大器分析；
三、晶體三極管
1、BJT基本結(jié)構(gòu)與類型、工作狀態(tài)及外部工作條件；
2、BJT器件放大模式下的工作原理、伏安特性曲線及相關建模，含放大區(qū)電流方程、小信號模型及參數(shù)等；
3、以BJT為核心的三種基本組態(tài)放大器分析；
四、集成運放中單元電路分析
1、電流源偏置電路：以MOS和BJT為核心器件的鏡像電流電路，電流導向電路；
2、輸入級差分放大器：差模信號和共模信號的概念，差模分析和共模分析及對應參數(shù)求解；
3、組合放大器：Cascode，CD-CS/CC-CE，達林頓電路；
4、輸出級功率放大器：B類和AB類放大器參數(shù)求解。
五、負反饋技術
1、負反饋放大器框圖及相關基本概念；
2、負反饋放大器類型及判斷方法，對放大器性能的影響；
3、深度負反饋條件下放大器的性能分析及參數(shù)推導。
六、運算放大器及其應用電路
1、運算放大器基本概念及相關參數(shù)；
2、運算放大器基本組態(tài)電路：同相比例和反相比例；
3、運算放大器的線性應用電路：儀用運放(三運放)、加減法電路、積分與微分電路。
4、運算放大器的非線性應用電路：單門限比較器、遲滯比較器。
七、標準信號源電路
1、正弦波振蕩器工作原理，含振蕩基本框圖、起振條件、平衡條件等；
2、文氏電橋振蕩電路分析與設計；
3、矩形波、鋸齒波振蕩器分析與設計。

杭州電子科技大學

本文來源：http://www.zhongzhouzhikong.com/hangzhoudianzikejidaxue/cankaoshumu_407174.html