2022年廣東工業(yè)大學841半導體物理碩士研究生考研考試大綱 正文

基本內(nèi)容：（300字以內(nèi)）
1.半導體的電子狀態(tài)：半導體的晶格結構和能帶結構，導帶，價帶，禁帶寬度，有效 質(zhì)量、空穴。已知電子的能帶E（k）關系，計算電子或空穴在某個狀態(tài)具有的能量，有效質(zhì) 量、準動量和速度等物理量。理解直接帶隙半導體和間接帶隙半導體的概念。
2.半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級：能用共價鍵模型和能帶模型解釋施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì) 的電離過程，雜質(zhì)能級和電離能。理解施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)在半導體中的作用。
3.半導體中的載流子的統(tǒng)計分布：理解狀態(tài)密度，費米能級，費米分布函數(shù)，理解 簡并半導體和非簡并半導體的概念。熟練掌握不同溫度和不同摻雜濃度下，半導體中的電 子和空穴濃度及費米能級的計算方法。理解低溫弱電離區(qū)、強電離飽和區(qū)、過渡區(qū)和高溫 本征激發(fā)區(qū)半導體的特征
4.半導體的導電性：漂移運動和漂移電流，遷移率，散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度 的關系，電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度關系
5.載流子的注入與復合：非平衡載流子的產(chǎn)生和復合過程及其復合規(guī)律，非平衡少子 的壽命，準費米能級、載流子的擴散運動和擴散電流，熟練掌握用連續(xù)性方程求解少子的 運動和分布規(guī)律。
6.半導體的霍耳效應。
題型要求及分數(shù)比例：（學術學位、專業(yè)學位碩士生滿分均150分）
基本概念題（25分）
填空和判斷題（25分）
計算題（60分）
綜合分析題（20分）
畫圖題（20分）（用圖形形象表達半導體物理的基本概念和基本物理過程，如空穴，載

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