一、個人資料：
姓名：張 雄（外籍）
性別：男
出生年月：1962年11月
民族：漢
職稱: 教授,博士生導師
學歷：博士
聯系電話：025-83792470-8109
聯系 mail：xzhang62@aliyun.com

二、個人經歷：
1985年本科畢業(yè)于中國科技大學物理系；1987年獲日本文部省獎學金赴日本東京大學攻讀博士學位；1992年獲工學博士學位；1992年至1996年在日本奧林巴斯(Olympus)株式會社任主管工程師。在此期間，因發(fā)明專利眾多(包括日本發(fā)明專利七項和美國發(fā)明專利一項)，獲頒1994年公司最高榮譽獎---奧林巴斯社長(總裁)獎；1996至2000年，以李光耀杰出博士后身份，在新加坡國立大學電子工程系任高級研究員。在此期間，出版英文學術專著二部，獲得美國和新加坡授權發(fā)明專利各一項以及發(fā)表SCI收錄學術論文二十余篇； 2000至2003年在美國硅谷高科技公司Nova Crystals任高級工程師，從事藍光LED的晶體生長和工藝技術以及光通訊用面發(fā)光半導體激光器的研發(fā)工作；2004至2006年在加拿大Simon Fraser大學MOCVD研究中心任研究科學家，從事GaAsSb異質結雙極晶體管(HBT)的研發(fā)工作；2006至2008年回國任無錫藍星電子有限公司總經理，主持氮化鎵基高亮度藍光LED的研發(fā)工作；2009年2月起任東南大學電子科學與工程學院教授、博士生導師。

三、研究領域：
近年來一直從事化合物半導體材料和器件,如LED,HBT,半導體激光器等的研發(fā)工作。目前正在開展以氮化鎵(GaN)為基礎的寬禁帶半導體材料和器件,特別是高亮度LED的研發(fā)工作。

四、研究成果：
自1987年10月在日本東京大學應用物理系攻讀博士學位起，一直從事以砷化鎵，磷化銦和氮化鎵等為基礎的化合物半導體材料的MOCVD外延生長和相關光電子器件，如LED，光調制器，面發(fā)光激光器和異質結雙極晶體管（HBT）的工藝研發(fā)工作。取得的主要成果有：發(fā)表在Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., J. Crystal Growth, IEEE J. Quantum Electronics等國際一流學術期刊上的英文SCI論文38篇；英文學術專著2部；美國授權專利2項，新加坡授權專利1項，日本專利7項，中國專利16項（其中獲得授權3項）。曾榮獲日本政府文部?。ń逃浚﹪M留學生獎學金，新加坡李光耀杰出博士后獎學金（全新加坡每年僅4人獲此殊榮），日本奧林巴斯公司最高榮譽獎—社長獎，并于2007年被授予江蘇省首批引進的高層次創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才獎。

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