考研派 > 院校庫 > 遼寧 > 大連理工大學(xué) > 研究生導(dǎo)師 > 大連理工大學(xué)數(shù)學(xué)科學(xué)學(xué)院導(dǎo)師：侯中華

大連理工大學(xué)數(shù)學(xué)科學(xué)學(xué)院導(dǎo)師：侯中華

發(fā)布時(shí)間：2021-11-20 編輯：考研派小莉推薦訪問：

大連理工大學(xué)數(shù)學(xué)科學(xué)學(xué)院導(dǎo)師：侯中華內(nèi)容如下，更多考研資訊請(qǐng)關(guān)注我們網(wǎng)站的更新！敬請(qǐng)收藏本站，或下載我們的考研派APP和考研派微信公眾號(hào)（里面有非常多的免費(fèi)考研資源可以領(lǐng)取，有各種考研問題，也可直接加我們網(wǎng)站上的研究生學(xué)姐微信，全程免費(fèi)答疑，助各位考研一臂之力，爭(zhēng)取早日考上理想中的研究生院校。）

+大連理工大學(xué) 研究生
微信,為你答疑,送資源

大連理工大學(xué)數(shù)學(xué)科學(xué)學(xué)院導(dǎo)師：侯中華正文

[導(dǎo)師姓名]
侯中華

[所屬院校]
大連理工大學(xué)

[基本信息]
導(dǎo)師姓名：侯中華
性別：男
人氣指數(shù)：3067
所屬院校：大連理工大學(xué)
所屬院系：數(shù)學(xué)科學(xué)學(xué)院
職稱：教授
導(dǎo)師類型：碩導(dǎo)/博導(dǎo)
招生專業(yè)：基礎(chǔ)數(shù)學(xué)
研究領(lǐng)域：微分幾何學(xué)，黎曼空間和閔可夫斯基空間的子流形理論。

[通訊方式]
電子郵件：zhonghua@dlut.edu.cn

[個(gè)人簡(jiǎn)述]
黃火林，現(xiàn)任大連理工大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副教授，碩士生導(dǎo)師。2016年入選大連市青年科技之星。2006年本科和2011年博士畢業(yè)于廈門大學(xué)物理系，師從半導(dǎo)體探測(cè)器領(lǐng)域?qū)＜覅钦平淌冢瑥氖露趸伜吞蓟璧葘捊麕О雽?dǎo)體材料生長(zhǎng)和紫外光電探測(cè)器的研制工作。2011年8月至2014年10月在新加坡國立大學(xué)（NUS）電機(jī)工程系（ECE）從事博后研究工作，合作導(dǎo)師為Y.C.Liang教授，博后期間負(fù)責(zé)帶領(lǐng)多名博士生開展《高壓高功率硅襯底氮化鎵材料功率電子器件技術(shù)研發(fā)》項(xiàng)目（750W人民幣）。該項(xiàng)目典型成果是獲得+5V閾值電壓和超過1200V擊穿電壓性能的常關(guān)型功率器件，以及基于無金（Au-free）工藝技術(shù)的+2V閾值電壓和600V擊穿電壓的常關(guān)型功率器件，項(xiàng)目指標(biāo)達(dá)到同期國際先進(jìn)水平。目前主要從事氮化鎵基材料外延生長(zhǎng)和電子器件的研制工作，至今已在IEEEElectronDeviceLetters、IEEETransactionsonPowerElectronics等重要學(xué)術(shù)期刊和國際會(huì)議上發(fā)表學(xué)術(shù)論文數(shù)十篇。
主持課題：
1、基于縱向短?hào)艠O溝道結(jié)構(gòu)的低導(dǎo)通電阻常關(guān)型GaN基HEMT器件制備研究（國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目）
2、多重2DEG溝道和凹槽柵組合GaNMOS-HEMT器件的研制（安徽省自然科學(xué)研究重大項(xiàng)目）
3、低導(dǎo)通電阻大閾值電壓常關(guān)型AlGaN/GaN基HEMT器件制備研究（遼寧省教育廳項(xiàng)目）
4、常關(guān)型GaN基功率器件的仿真與制作（中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)經(jīng)費(fèi)--引進(jìn)人才專項(xiàng)）
代表性論文：
[1]HuolinHuangandY.C.Liang,"Formationofcombinedpartiallyrecessedandmultiplefluorinated-dielectriclayersgatestructuresforhighthresholdvoltageGaN-basedHEMTpowerdevices",Solid-StateElectronics114,148-154(2015).
[2]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Ting-FuChang,andChih-FangHuang,“EffectsofGateFieldPlatesontheSurfaceStateRelatedCurrentCollapseinAlGaN/GaNHEMTs”,IEEETrans.PowerElectron.29,2164-2173(2014).
[3]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andCassandraLowLeeNgo,“Au-FreeNormally-offAlGaN/GaN-on-SiMIS-HEMTsusingCombinedPartiallyRecessedandFluorinatedTrap-ChargeGateStructures”,IEEEElectronDeviceLett.35,569(2014).
[4]HuolinHuang,YannanXie,ZhifengZhang,FengZhang,QiangXu,ZhengyunWu,“GrowthandfabricationofsputteredTiO2basedultravioletdetectors”,Appl.Surf.Sci.293,248-254(2014).
[5]HuolinHuang,YannanXie,WeifengYang,FengZhang,JiafaCai,andZhengyunWu,“Low-Dark-CurrentTiO2MSMUVPhotodetectorswithPtSchottkyContacts”,IEEEElectronDeviceLett.32,530(2011).
[6]HuolinHuang,WeifengYang,YannanXie,XiapingChen,andZhengyunWu,“Metal-semiconductor-metalultravioletphotodetectorsbasedonTiO2filmsdepositedbyradiofrequencymagnetronsputtering”,IEEEElectronDeviceLett.31,588(2010).
[7]HuolinHuang,ZhonghaoSun,etal.,"Performance-ImprovedNormally-offAlGaN/GaNHigh-ElectronMobilityTransistorswithaDesignedp-GaNAreaundertheRecessedGate",13thIEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology,2016,October25-28,Hangzhou,China.
[8]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,HongweiLiang,XiaochuanXia,andGuotongDu,"FormationofGateStructurebyMultipleFluorinatedDielectricLayersonPartiallyRecessedBarrierforHighThresholdVoltageAlGaN/GaNPowerHEMTs",11thInternationalConferenceonNitrideSemiconductors(ICNS-11),2015,August30-September4,Beijing,China.
[9]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Chih-FangHuang,andWei-HungKuo,“5VHighThresholdVoltageNormally-offMIS-HEMTswithCombinedPartiallyRecessedandMultipleFluorinated-DielectricLayersGateStructures”,46thSSDM2014,September8-11,2014,Ibaraki,Japan.
[10]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andChih-FangHuang,“DesignofNovelNormally-offAlGaN/GaNHEMTswithCombinedGateRecessandFloatingChargeStructures”,IEEEPEDS2013,April22-25,2013,Kitakyushu,Japan.
[11]HuolinHuang,YungC.Liang,andGaneshS.Samudra,“TheoreticalCalculationandEfficientSimulationsofPowerSemiconductorAlGaN/GaNHEMTs”,IEEEEDSSC2012,December3-5,2012,ChulalongkornUniversity,Bangkok,Thailand.
[12]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,YulingLi,andYee-ChiaYeo,“ModellingandSimulationsonCurrentCollapseinAlGaN/GaNPowerHEMTs”,SISPAD2012,September5-7,2012,Denver,CO,USA.
申請(qǐng)和授權(quán)發(fā)明專利：
[1]具有縱向柵極結(jié)構(gòu)的常關(guān)型HEMT器件及其制備方法
[2]具有三明治柵極介質(zhì)結(jié)構(gòu)的HEMT器件及其制備方法
[3]一種縱向短開啟柵極溝道型HEMT器件及其制備方法
[4]高電子遷移率晶體管制作方法
[5]一種二氧化鈦?zhàn)贤夤怆娞綔y(cè)器的制備方法

[科研工作]
黃火林，現(xiàn)任大連理工大學(xué)物理與光電工程學(xué)院副教授，碩士生導(dǎo)師。2016年入選大連市青年科技之星。2006年本科和2011年博士畢業(yè)于廈門大學(xué)物理系，師從半導(dǎo)體探測(cè)器領(lǐng)域?qū)＜覅钦平淌?，從事二氧化鈦和碳化硅等寬禁帶半?dǎo)體材料生長(zhǎng)和紫外光電探測(cè)器的研制工作。2011年8月至2014年10月在新加坡國立大學(xué)（NUS）電機(jī)工程系（ECE）從事博后研究工作，合作導(dǎo)師為Y.C.Liang教授，博后期間負(fù)責(zé)帶領(lǐng)多名博士生開展《高壓高功率硅襯底氮化鎵材料功率電子器件技術(shù)研發(fā)》項(xiàng)目（750W人民幣）。該項(xiàng)目典型成果是獲得+5V閾值電壓和超過1200V擊穿電壓性能的常關(guān)型功率器件，以及基于無金（Au-free）工藝技術(shù)的+2V閾值電壓和600V擊穿電壓的常關(guān)型功率器件，項(xiàng)目指標(biāo)達(dá)到同期國際先進(jìn)水平。目前主要從事氮化鎵基材料外延生長(zhǎng)和電子器件的研制工作，至今已在IEEEElectronDeviceLetters、IEEETransactionsonPowerElectronics等重要學(xué)術(shù)期刊和國際會(huì)議上發(fā)表學(xué)術(shù)論文數(shù)十篇。
主持課題：
1、基于縱向短?hào)艠O溝道結(jié)構(gòu)的低導(dǎo)通電阻常關(guān)型GaN基HEMT器件制備研究（國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目）
2、多重2DEG溝道和凹槽柵組合GaNMOS-HEMT器件的研制（安徽省自然科學(xué)研究重大項(xiàng)目）
3、低導(dǎo)通電阻大閾值電壓常關(guān)型AlGaN/GaN基HEMT器件制備研究（遼寧省教育廳項(xiàng)目）
4、常關(guān)型GaN基功率器件的仿真與制作（中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)經(jīng)費(fèi)--引進(jìn)人才專項(xiàng)）
代表性論文：
[1]HuolinHuangandY.C.Liang,"Formationofcombinedpartiallyrecessedandmultiplefluorinated-dielectriclayersgatestructuresforhighthresholdvoltageGaN-basedHEMTpowerdevices",Solid-StateElectronics114,148-154(2015).
[2]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Ting-FuChang,andChih-FangHuang,“EffectsofGateFieldPlatesontheSurfaceStateRelatedCurrentCollapseinAlGaN/GaNHEMTs”,IEEETrans.PowerElectron.29,2164-2173(2014).
[3]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andCassandraLowLeeNgo,“Au-FreeNormally-offAlGaN/GaN-on-SiMIS-HEMTsusingCombinedPartiallyRecessedandFluorinatedTrap-ChargeGateStructures”,IEEEElectronDeviceLett.35,569(2014).
[4]HuolinHuang,YannanXie,ZhifengZhang,FengZhang,QiangXu,ZhengyunWu,“GrowthandfabricationofsputteredTiO2basedultravioletdetectors”,Appl.Surf.Sci.293,248-254(2014).
[5]HuolinHuang,YannanXie,WeifengYang,FengZhang,JiafaCai,andZhengyunWu,“Low-Dark-CurrentTiO2MSMUVPhotodetectorswithPtSchottkyContacts”,IEEEElectronDeviceLett.32,530(2011).
[6]HuolinHuang,WeifengYang,YannanXie,XiapingChen,andZhengyunWu,“Metal-semiconductor-metalultravioletphotodetectorsbasedonTiO2filmsdepositedbyradiofrequencymagnetronsputtering”,IEEEElectronDeviceLett.31,588(2010).
[7]HuolinHuang,ZhonghaoSun,etal.,"Performance-ImprovedNormally-offAlGaN/GaNHigh-ElectronMobilityTransistorswithaDesignedp-GaNAreaundertheRecessedGate",13thIEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology,2016,October25-28,Hangzhou,China.
[8]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,HongweiLiang,XiaochuanXia,andGuotongDu,"FormationofGateStructurebyMultipleFluorinatedDielectricLayersonPartiallyRecessedBarrierforHighThresholdVoltageAlGaN/GaNPowerHEMTs",11thInternationalConferenceonNitrideSemiconductors(ICNS-11),2015,August30-September4,Beijing,China.
[9]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Chih-FangHuang,andWei-HungKuo,“5VHighThresholdVoltageNormally-offMIS-HEMTswithCombinedPartiallyRecessedandMultipleFluorinated-DielectricLayersGateStructures”,46thSSDM2014,September8-11,2014,Ibaraki,Japan.
[10]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andChih-FangHuang,“DesignofNovelNormally-offAlGaN/GaNHEMTswithCombinedGateRecessandFloatingChargeStructures”,IEEEPEDS2013,April22-25,2013,Kitakyushu,Japan.
[11]HuolinHuang,YungC.Liang,andGaneshS.Samudra,“TheoreticalCalculationandEfficientSimulationsofPowerSemiconductorAlGaN/GaNHEMTs”,IEEEEDSSC2012,December3-5,2012,ChulalongkornUniversity,Bangkok,Thailand.
[12]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,YulingLi,andYee-ChiaYeo,“ModellingandSimulationsonCurrentCollapseinAlGaN/GaNPowerHEMTs”,SISPAD2012,September5-7,2012,Denver,CO,USA.
申請(qǐng)和授權(quán)發(fā)明專利：
[1]具有縱向柵極結(jié)構(gòu)的常關(guān)型HEMT器件及其制備方法
[2]具有三明治柵極介質(zhì)結(jié)構(gòu)的HEMT器件及其制備方法
[3]一種縱向短開啟柵極溝道型HEMT器件及其制備方法
[4]高電子遷移率晶體管制作方法
[5]一種二氧化鈦?zhàn)贤夤怆娞綔y(cè)器的制備方法

[教育背景]
1993.9--1998.3
日本東京工業(yè)大學(xué) 微分幾何博士

大連理工大學(xué)

添加大連理工大學(xué)學(xué)姐微信，或微信搜索公眾號(hào)“考研派小站”，關(guān)注【考研派小站】微信公眾號(hào)，在考研派小站微信號(hào)輸入【大連理工大學(xué)考研分?jǐn)?shù)線、大連理工大學(xué)報(bào)錄比、大連理工大學(xué)考研群、大連理工大學(xué)學(xué)姐微信、大連理工大學(xué)考研真題、大連理工大學(xué)專業(yè)目錄、大連理工大學(xué)排名、大連理工大學(xué)保研、大連理工大學(xué)公眾號(hào)、大連理工大學(xué)研究生招生）】即可在手機(jī)上查看相對(duì)應(yīng)大連理工大學(xué)考研信息或資源。